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Recon Wafer & Stealth Dicing Process

Recon Wafer & Stealth Dicing Process

Recon Wafer Process（晶圓重構(gòu)）：

華宇電子提供專業(yè)的8英寸和12英寸Recon Wafer?服務(wù)，覆蓋從晶圓來料檢測到成品包裝的全流程。

?技術(shù)優(yōu)勢?

高精度加工：切割崩邊≤5μm，缺陷檢測分辨率0.5μm。

嚴(yán)格品控：多環(huán)節(jié)AOI檢測，潔凈度達(dá)顆粒殘留≤10顆（≥0.1μm）。

?成熟工藝

支持12英寸晶圓低應(yīng)力BG膜貼合、無氣泡作業(yè)。

分選效率UPH 20K，支持13 BIN分類，適配圖像傳感器、IC等多種芯片。

?質(zhì)量與交付?

包裝標(biāo)準(zhǔn)：真空晶舟盒（8英寸25片/盒，12英寸13片/盒）。

符合行業(yè)高良率要求，提供穩(wěn)定量產(chǎn)服務(wù)。

Stealth Dicing Process（激光隱切）：

華宇電子提供專業(yè)的8英寸和12英寸?Stealth Dicing?服務(wù)。

技術(shù)特點(diǎn)?

完全干燥工藝：無需冷卻液或其他介質(zhì)，減少污染風(fēng)險(xiǎn)。

無截口損失：切割過程中材料損耗極低，提升利用率。

無切屑：避免碎屑對精密器件的影響，提高成品率。

高彎曲強(qiáng)度：切割后的材料結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，適用于高應(yīng)力環(huán)境。

切割道：適應(yīng)更窄的切割道寬度。

?隱切原理?

隱形切割技術(shù)可將能夠穿透材料的波長的激光光束聚焦，在內(nèi)部聚焦并形成晶圓破裂的起點(diǎn)(改性層:隱形切割層，以下稱為“SD 層”)，然后向晶圓施加外部應(yīng)力，將其分離。該過程主要由兩部分組成，一般被稱為激光改制過程與晶圓擴(kuò)展分離過程，

?隱切激光改制過程?

激光光束聚焦在晶圓內(nèi)部，形成 SD 層以分離晶圓。

裂紋也從 SD 層形成，而 SD 層在內(nèi)部朝向晶圓的頂部和底部表面形成，這些裂紋通過激光光束掃描沿著計(jì)劃的切割線連接。此外，為了切割 MEMS 器件等厚晶圓，在厚度方向上形成多個(gè) SD 層，然后連接裂紋。

根據(jù)SD層行為可以分為

晶圓擴(kuò)展分離過程

通過膠帶膨脹等行為在周邊方向上拉緊膠帶，對已形成 SD 層的晶圓施加外力。這會(huì)對晶圓的內(nèi)部裂紋狀態(tài)施加拉應(yīng)力，并使裂紋延伸到頂部和底部表面，從而分離晶片。由于晶圓分離是通過延伸裂紋進(jìn)行的，因此沒有應(yīng)力施加在器件上。此外，由于基本上沒有截口損失，這會(huì)提高芯片成品率。